KM1160全极高灵敏低功耗霍尔传感器
KM1160是一款基于混合信号 CMOS 技术的全极型霍尔效应传感器，这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。

KM1128是一款低功耗霍尔开关传感器，专为空间紧凑系统和电池电量敏感系统而设计。该芯片可以提供多种磁场阈值、开关工作频率和封装形式以适配各种应用。当施加的S极或N极磁感应强度超过工作点防喷器(Bop)时，芯片输出低电平，且保持低电平。直到S极或N极磁感应强度低于释放点BRp时，芯片输出高电平。芯片内置温度补偿电路，时钟逻辑电路，保证芯片稳定的工作点和开关频率。芯片可以以极低的电流消耗，提供全极磁响应。KM1128可以在18V至5.5V的供电电压范围内工作，并采用标准的SOT-23-3L、SOT-553和TO-92S封装。

KM1165是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。是一款高速检测全极磁场的霍尔开关传感器。在电路设计上,KM1165提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“工作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前的状态下。在电池供电应用中，这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。

全极高电压霍尔开关、高灵敏度。 霍尔元件KM1452是基于双极半导体（Bipolar）工艺设计和生产，是南极和北极敏感型低功耗全极性霍尔效应开关，器件内部集成了电压调节器，可在3.8V至40V的电源电压下工作的稳压器，反向电压保护电路，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出。传感器可以在南极和北极工作。当磁场强度大于工作点Bop时，将输出低电平，直到磁场强度低于释放点Brp,输出高电平。

KM1421单极霍尔效应开关，采用双极半导体(Bipolar)工艺设计，包括霍尔电压发生器，可在3.8至40伏的电源电压下工作的稳压器，反向电压保护，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出。

KM41F采用高压双极工艺制程，是一款耐高压双极霍尔开关传感器。该芯片内部由电玉稳压单元，霍尔电压发生器，差分放大电路，温度补偿电路，集电极开路输出电路组成。输入磁感应强度,输出为数字电压信号。可耐高电压冲击，具有极强的抗噪能力。工作温度范围为-40C至150℃℃，工作电压从3.8V到60V，可驱动电流最大30mA。适用于各种消费类电子、汽车和工业控制等领域。提供TO92S和SOT23-3L两种封装形式，且所有封装都符合RoHS标准。

KM49E为小型、通用、线性霍尔效应传感器，其输出信号电平决定于施加在器件敏感面的磁场强度,随磁场强度成比例地变化。当KM49E处于零磁场条件时，其输出电压是电源电压的一半。S磁极出现在KM49E标记面时，输出电压将随磁场强度增加而线性升高;相反，N磁极将使输出电压随磁场强度增加而线性降低。KM49E具有低噪声输出的特点，不再需要采用外部滤波。它还包括薄膜式电阻，能提高温度的稳定性和准确性。工作温度范围为-40℃至 85℃,适用于各种商业用户和工业环境。

KM1801是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款集成电路采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
在电路设计上,KM1801提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式: 同样通过这个机制,芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“工作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则 开漏输出品体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出品体管被锁定在其先前的状态下。在电池供电应用中，这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。