一、核心参数
- 封装：SOT-23-3
- 引脚（正视丝印） 1 脚 VDD 电源 2 脚 OUT 推挽输出 3 脚 GND
- 供电电压：2.0V ~ 5.5V（兼容 3.3V/5V 系统）
- 静态功耗：≈200 nA（0.2μA），超低功耗，适合电池产品
- 采样频率：15Hz
- 工作温度：-40℃ ~ +125℃（工业级）
- 磁特性（关键）
- BOP（工作点）：±10 Gs
- BRP（释放点）：±8 Gs
- 磁滞：2Gs，有效防止抖动
- 感应方式：芯片平面内 360° 任意方向磁场；N/S 极均可触发（全极性）
重要限制：只能感应平行于芯片表面的磁场；垂直芯片表面磁场几乎不响应！
二、输出逻辑（推挽输出）
- 磁场 ≥10Gs：输出 低电平
- 磁场减弱＜8Gs：输出 高电平 推挽输出，不需要外部上拉电阻。
