KM1166是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款集成电路采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。是一款高速检测全极磁场的霍尔开关传感器。
在电路设计上,KM1166提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式; 同样通过这个 机制,芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“工作点”阙值或者低于“释放点”阈值,则 开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出品体管被锁定在其先前的状态下。在电池供电应用中，这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。KM1166可以在1.6V至5.5V的供电电压范围内工作，并采用标准的SOT-23-3L和TO-92S封装。
产品特点
低功耗187 uA@3.3V
高频响 2.6KHZ
典型磁场阈值 Bop=30Gs Brp =20Gs
宽工作电压范围:1.6 V~5.5V
全极磁场检测CMOS推挽输出
3 典型应用
速度检测
位移检测
流量检测
非接触式检测
工作温度范围:-40℃~85℃
卓越的ESD性能:HBM 6kV
封装:SOT-23-3L TO-92S
符合RoHS标准
